图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTB6410AN, NTP6410AN |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 76A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 13 mOhm @ 76A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 120nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 188W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 76 A |
| RDS -于 | 13@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 17 ns |
| 典型上升时间 | 170 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 典型下降时间 | 190 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 13@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大功率耗散 | 188000 |
| 最大连续漏极电流 | 76 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 76A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 13 mOhm @ 76A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 188W |
| 标准包装 | 800 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4500pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 120nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 76 A |
| 正向跨导 - 闵 | 40 S |
| RDS（ON） | 11 mOhms |
| 功率耗散 | 188 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 120 nC |
| 上升时间 | 170 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 190 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.013 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 800 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V to 4 V |
| Qg - Gate Charge | 120 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 76 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11 mOhms |
| 系列 | NTB6410AN |
| Pd - Power Dissipation | 188 W |
| 技术 | Si |
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